QS8J4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8J4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QS8J4 datasheet

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QS8J4

QS8J4 Pch -30V -4A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -30V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 56mW (1) ID -4A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (5) Tr2 Drain (1) Tr1 Source (6) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate 2) Built-in G-S Protection Diode. (7) Tr1 Drain (3) Tr2 Source (8) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate 3) Small Surface Moun

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