QS8J4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS8J4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8J4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J4 даташит

 ..1. Size:518K  rohm
 qs8j4.pdf pdf_icon

QS8J4

QS8J4 Pch -30V -4A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -30V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 56mW (1) ID -4A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (5) Tr2 Drain (1) Tr1 Source (6) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate 2) Built-in G-S Protection Diode. (7) Tr1 Drain (3) Tr2 Source (8) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate 3) Small Surface Moun

Другие IGBT... QS6M4, QS6U22, QS6U24, QS8F2, QS8J11, QS8J12, QS8J13, QS8J2, IRFZ44N, QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, QS8K21, QS8M11, QS8M13, QS8M51