Справочник MOSFET. QS8J4

 

QS8J4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: QS8J4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8

 Аналог (замена) для QS8J4

 

 

QS8J4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  rohm
 qs8j4.pdf

QS8J4 QS8J4

QS8J4 Pch -30V -4A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)56mW(1) ID-4A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(5) Tr2 Drain (1) Tr1 Source (6) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate 2) Built-in G-S Protection Diode.(7) Tr1 Drain (3) Tr2 Source (8) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate 3) Small Surface Moun

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top