Справочник MOSFET. QS8J4

 

QS8J4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8J4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QS8J4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8J4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  rohm
 qs8j4.pdf pdf_icon

QS8J4

QS8J4 Pch -30V -4A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)56mW(1) ID-4A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(5) Tr2 Drain (1) Tr1 Source (6) Tr2 Drain (2) Tr1 Gate 2) Built-in G-S Protection Diode.(7) Tr1 Drain (3) Tr2 Source (8) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate 3) Small Surface Moun

Другие MOSFET... QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , IRFZ44N , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , QS8K21 , QS8M11 , QS8M13 , QS8M51 .

 

 
Back to Top

 


 
.