QS8K2 Todos los transistores

 

QS8K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8K2

Código: K02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 4.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.054 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS8K2

 

QS8K2 Datasheet (PDF)

1.1. qs8k2.pdf Size:2378K _update_mosfet

QS8K2
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QS8K2 Datasheet   30V Nch +Nch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 54mΩ     ID ±3.5A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

1.2. qs8k21.pdf Size:2406K _update_mosfet

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QS8K21 Datasheet   45V Nch + Nch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS 45V   RDS(on)(Max.) 53mΩ     ID ±4A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

 1.3. qs8k2.pdf Size:368K _rohm

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2.5V Drive Nch MOSFET QS8K2 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 2.5V drive. (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol : K02 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 3000 (1) Tr1 Sourc

1.4. qs8k21.pdf Size:224K _rohm

QS8K2
QS8K2

4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K21 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : K21 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering u

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