QS8K2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8K2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QS8K2 datasheet

 ..1. Size:2378K  rohm
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QS8K2

QS8K2 Datasheet 30V Nch +Nch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

 0.1. Size:2406K  rohm
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QS8K2

QS8K21 Datasheet 45V Nch + Nch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 45V RDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

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