QS8K2 Todos los transistores

 

QS8K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS8K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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QS8K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2378K  rohm
 qs8k2.pdf pdf_icon

QS8K2

QS8K2Datasheet30V Nch +Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS

 0.1. Size:2406K  rohm
 qs8k21.pdf pdf_icon

QS8K2

QS8K21Datasheet45V Nch + Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 45VRDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS

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History: IRF643 | WMK161N15T2 | QM6004F | MDF3752TH | HUF75329S3ST | IRCZ445 | SVF12N65CFQ

 

 
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