Справочник MOSFET. QS8K2

 

QS8K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QS8K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2378K  rohm
 qs8k2.pdf pdf_icon

QS8K2

QS8K2Datasheet30V Nch +Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS

 0.1. Size:2406K  rohm
 qs8k21.pdf pdf_icon

QS8K2

QS8K21Datasheet45V Nch + Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 45VRDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие MOSFET... QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , 20N60 , QS8K21 , QS8M11 , QS8M13 , QS8M51 , RFH25N18 , RFH25N20 , RFH25P08 , RFH25P10 .

History: SEFY340CSTX | 2SK2030 | NVTR4502P | SVF2N60CD

 

 
Back to Top

 


 
.