QS8K2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QS8K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QS8K2
QS8K2 Datasheet (PDF)
qs8k2.pdf

QS8K2Datasheet30V Nch +Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS
qs8k21.pdf

QS8K21Datasheet45V Nch + Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 45VRDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS
Другие MOSFET... QS8J11 , QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , 20N60 , QS8K21 , QS8M11 , QS8M13 , QS8M51 , RFH25N18 , RFH25N20 , RFH25P08 , RFH25P10 .
History: P0806ATX | JBL102T | FDMA86251 | AOY516 | DH100P30AE | SVSP11N60SD2 | HGN320N20S
History: P0806ATX | JBL102T | FDMA86251 | AOY516 | DH100P30AE | SVSP11N60SD2 | HGN320N20S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h