Справочник MOSFET. QS8K2

 

QS8K2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS8K2

Маркировка: K02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 4.6 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 90 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8K2

 

QS8K2 Datasheet (PDF)

1.1. qs8k21.pdf Size:2406K _update_mosfet

QS8K2
QS8K2

QS8K21 Datasheet   45V Nch + Nch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS 45V   RDS(on)(Max.) 53mΩ     ID ±4A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

1.2. qs8k2.pdf Size:2378K _update_mosfet

QS8K2
QS8K2

QS8K2 Datasheet   30V Nch +Nch Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 54mΩ     ID ±3.5A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

 1.3. qs8k21.pdf Size:224K _rohm

QS8K2
QS8K2

4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K21 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : K21 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering u

1.4. qs8k2.pdf Size:368K _rohm

QS8K2
QS8K2

2.5V Drive Nch MOSFET QS8K2 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 2.5V drive. (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol : K02 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 3000 (1) Tr1 Sourc

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top