QS8M11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QS8M11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QS8M11

QS8M11 Datasheet (PDF)

..1. Size:427K rohm
qs8m11.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETQS8M11 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET/(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures(1) (2) (3) (4)1) Low on-resistance.2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : M11 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Tapi

9.1. Size:733K rohm
qs8m13.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET/(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : M13 ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificati

9.2. Size:1346K rohm
qs8m12.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M12 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET/(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package(TSMT8).3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : M12 ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificati

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: