Справочник MOSFET. QS8M11

 

QS8M11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS8M11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 3.5 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 70 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8M11

 

QS8M11 Datasheet (PDF)

1.1. qs8m11.pdf Size:427K _update_mosfet

QS8M11 QS8M11

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M11  Structure  Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M11  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit Package Tapi

5.1. qs8m13.pdf Size:733K _update_mosfet

QS8M11 QS8M11

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13  Structure Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M13  Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5)  Packaging specificati

5.2. qs8m13.pdf Size:1399K _rohm

QS8M11 QS8M11

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M13 ? Application Switching ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) ? Packaging specifications Package Ta

 5.3. qs8m12.pdf Size:1346K _rohm

QS8M11 QS8M11

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M12 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M12 ? Application Switching ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) ? Packaging specifications (1) Tr1 So

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top