QS8M11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QS8M11
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.5 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
QS8M11 Datasheet (PDF)
1.1. qs8m11.pdf 
Size:427K _update_mosfet
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M11 Structure Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M11 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Tapi
5.1. qs8m13.pdf Size:733K _update_mosfet
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13 Structure Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M13 Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specificati
5.2. qs8m12.pdf Size:1346K _rohm
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M12 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M12 ? Application Switching ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) ? Packaging specifications (1) Tr1 So
5.3. qs8m13.pdf Size:1399K _rohm
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M13 ? Structure ?Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET/ (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol : M13 ? Application Switching ?Inner circuit (8) (7) (6) (5) ? Packaging specifications Package Ta
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
