QS8M51 Todos los transistores

 

QS8M51 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8M51

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 4.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.325 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

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QS8M51 Datasheet (PDF)

1.1. qs8m51.pdf Size:596K _update_mosfet

QS8M51
QS8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51  Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol : M51  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit Pa

1.2. qs8m51.pdf Size:1268K _rohm

QS8M51
QS8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol : M51 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (

 

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