QS8M51 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8M51  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.325 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QS8M51 datasheet

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QS8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol M51 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Pa

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