Справочник MOSFET. QS8M51

 

QS8M51 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS8M51

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 4.7 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 30 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.325 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8M51

 

QS8M51 Datasheet (PDF)

1.1. qs8m51.pdf Size:596K _update_mosfet

QS8M51
QS8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51  Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol : M51  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit Pa

1.2. qs8m51.pdf Size:1268K _rohm

QS8M51
QS8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol : M51 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (

 

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 
Back to Top