Справочник MOSFET. QS8M51

 

QS8M51 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8M51
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QS8M51

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8M51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  rohm
 qs8m51.pdf pdf_icon

QS8M51

Data Sheet4V Drive Nch + Pch MOSFETQS8M51 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8(8) (7) (6) (5)Silicon P-channel MOSFETFeatures(1) (2) (3) (4)1) Low on-resistance.2) Low voltage drive (4V drive).3) Small surface mount package (TSMT8).Abbreviated symbol : M51 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPa

Другие MOSFET... QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , QS8K21 , QS8M11 , QS8M13 , IRF640 , RFH25N18 , RFH25N20 , RFH25P08 , RFH25P10 , RFH35N08 , RFH35N10 , RFH45N05 , RFH45N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.