QS8M51 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS8M51  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для QS8M51

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8M51 даташит

 ..1. Size:596K  rohm
 qs8m51.pdf pdf_icon

QS8M51

Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol M51 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Pa

Другие IGBT... QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, QS8K21, QS8M11, QS8M13, 50N06, RFH25N18, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06