QS8M51 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QS8M51
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.7 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.325 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
QS8M51 Datasheet (PDF)
1.1. qs8m51.pdf 
Size:596K _update_mosfet
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol : M51 Application Switching Packaging specifications Inner circuit Pa
1.2. qs8m51.pdf Size:1268K _rohm
Data Sheet 4V Drive Nch + Pch MOSFET QS8M51 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET/ TSMT8 (8) (7) (6) (5) Silicon P-channel MOSFET ?Features (1) (2) (3) (4) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (4V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol : M51 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
