PHW14N50E Todos los transistores

 

PHW14N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW14N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT429
 

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PHW14N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 phw14n50e 3.pdf pdf_icon

PHW14N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW14N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 14 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.4 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N

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