Справочник MOSFET. PHW14N50E

 

PHW14N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW14N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
 

 Аналог (замена) для PHW14N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW14N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 phw14n50e 3.pdf pdf_icon

PHW14N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW14N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 14 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.4 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N

Другие MOSFET... PHP87N03LT , PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , IRF3205 , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , PHW9N60E , PHX2N50E , PHX2N60E , PHX3N40E .

 

 
Back to Top

 


 
.