Справочник MOSFET. PHW14N50E

 

PHW14N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW14N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW14N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 phw14n50e 3.pdf pdf_icon

PHW14N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW14N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 14 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.4 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)N

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP2312 | HGI480N15M | WMB80P04TS | SI1402DH | 2N4338 | STU6N62K3 | OSG60R108KSZF

 

 
Back to Top

 


 
.