PHW20N50E Todos los transistores

 

PHW20N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW20N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT429
 

 Búsqueda de reemplazo de PHW20N50E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHW20N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  philips
 phw20n50e 2.pdf pdf_icon

PHW20N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW20N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 20 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.27 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)

Otros transistores... PHP8N50E , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , IRF740 , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , PHW9N60E , PHX2N50E , PHX2N60E , PHX3N40E , PHX3N50E .

History: SSU1N50 | 3SK139P | SP2107

 

 
Back to Top

 


 
.