PHW20N50E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHW20N50E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: SOT429

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PHW20N50E datasheet

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PHW20N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW20N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 20 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.27 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)

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