PHW20N50E Todos los transistores

 

PHW20N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW20N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT429
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHW20N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  philips
 phw20n50e 2.pdf pdf_icon

PHW20N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW20N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 20 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.27 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FTK7000 | MX2N4092 | IPI60R199CP | MX2N5114 | FDMC5614P | MXP6006DP | HGK037N10S

 

 
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