PHW20N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHW20N50E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT429
Búsqueda de reemplazo de PHW20N50E MOSFET
PHW20N50E Datasheet (PDF)
phw20n50e 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW20N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 20 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.27 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)
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History: PHW11N50E
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