PHW20N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHW20N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: SOT429

Аналог (замена) для PHW20N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW20N50E даташит

 ..1. Size:92K  philips
 phw20n50e 2.pdf pdf_icon

PHW20N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW20N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 20 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.27 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)

Другие IGBT... PHP8N50E, PHP8ND50E, PHT11N06LT, PHT6N03LT, PHT6N06LT, PHT8N06LT, PHW11N50E, PHW14N50E, IRF740, PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, PHW9N60E, PHX2N50E, PHX2N60E, PHX3N40E, PHX3N50E