Справочник MOSFET. PHW20N50E

 

PHW20N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW20N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
 

 Аналог (замена) для PHW20N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW20N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  philips
 phw20n50e 2.pdf pdf_icon

PHW20N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHW20N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 20 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.27 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WSP6024 | SSU1N50

 

 
Back to Top

 


 
.