RFK35N10 Todos los transistores

 

RFK35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFK35N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 225 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AE

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RFK35N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  njs
rfk35n08 rfk35n10.pdf

RFK35N10
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