RFK35N10 Todos los transistores

 

RFK35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFK35N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AE
 

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RFK35N10 Datasheet (PDF)

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RFK35N10

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History: P8008BV | AM2319P-T1 | BVSS123L | IPA90R1K2C3 | BUK9E1R9-40E | DHS020N88E | 2N60L-TMS4-T

 

 
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