RFK35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFK35N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AE
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RFK35N10 Datasheet (PDF)
Otros transistores... RFH25P10 , RFH35N08 , RFH35N10 , RFH45N05 , RFH45N06 , RFK25P08 , RFK25P10 , RFK35N08 , IRFB4110 , RFM10N12 , RFM10N15 , RFM12N08 , RFM12N08L , RFM12N10 , RFM12N10L , RFM12N18 , RFM12N20 .
History: P8008BV | AM2319P-T1 | BVSS123L | IPA90R1K2C3 | BUK9E1R9-40E | DHS020N88E | 2N60L-TMS4-T
History: P8008BV | AM2319P-T1 | BVSS123L | IPA90R1K2C3 | BUK9E1R9-40E | DHS020N88E | 2N60L-TMS4-T



Liste
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