RFK35N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFK35N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-204AE

Аналог (замена) для RFK35N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFK35N10 даташит

 ..1. Size:77K  njs
 rfk35n08 rfk35n10.pdf pdf_icon

RFK35N10

Другие IGBT... RFH25P10, RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06, RFK25P08, RFK25P10, RFK35N08, AON6414A, RFM10N12, RFM10N15, RFM12N08, RFM12N08L, RFM12N10, RFM12N10L, RFM12N18, RFM12N20