RFM15N12 Todos los transistores

 

RFM15N12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFM15N12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RFM15N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  njs
 rfm15n12 rfm15n15 rfp15n12 rfp15n15.pdf pdf_icon

RFM15N12

 8.1. Size:89K  njs
 rfm15n05l rfm15n06l.pdf pdf_icon

RFM15N12

 9.1. Size:309K  international rectifier
 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N12

 9.2. Size:23K  semelab
 2n7224 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N12

2N7224SEMEIRFM150LABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL13.59 (0.535) 6.32 (0.249)POWER MOSFET13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 100VID(cont) 34ARDS(on) 0.0701 2 3FEATURES REPETITIVE AVALANCHE RATING ISOLATED AND HERMETICALLY SEALED ALTERNATIVE TO TO-3 PACKAGE0.89 (0.035)1.14 (0

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RFM12N10 , RFM12N10L , RFM12N18 , RFM12N20 , RFM12P08 , RFM12P10 , RFM15N05L , RFM15N06L , IRF1010E , RFM15N15 , RFM25N05 , RFM25N06 , RFM5P12 , RFM5P15 , RFM8P08 , RFM8P10 , RFP10N12 .

History: MS34N34

 

 
Back to Top

 


 
.