RFM15N12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFM15N12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для RFM15N12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM15N12 даташит

 ..1. Size:82K  njs
 rfm15n12 rfm15n15 rfp15n12 rfp15n15.pdf pdf_icon

RFM15N12

 8.1. Size:89K  njs
 rfm15n05l rfm15n06l.pdf pdf_icon

RFM15N12

 9.1. Size:309K  international rectifier
 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N12

 9.2. Size:23K  semelab
 2n7224 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N12

2N7224 SEME IRFM150 LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) POWER MOSFET 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) VDSS 100V ID(cont) 34A RDS(on) 0.070 1 2 3 FEATURES REPETITIVE AVALANCHE RATING ISOLATED AND HERMETICALLY SEALED ALTERNATIVE TO TO-3 PACKAGE 0.89 (0.035) 1.14 (0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFM12N10, RFM12N10L, RFM12N18, RFM12N20, RFM12P08, RFM12P10, RFM15N05L, RFM15N06L, IRF9540N, RFM15N15, RFM25N05, RFM25N06, RFM5P12, RFM5P15, RFM8P08, RFM8P10, RFP10N12