Справочник MOSFET. RFM15N12

 

RFM15N12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFM15N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA

 Аналог (замена) для RFM15N12

 

 

RFM15N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  njs
 rfm15n12 rfm15n15 rfp15n12 rfp15n15.pdf

RFM15N12 RFM15N12

 8.1. Size:89K  njs
 rfm15n05l rfm15n06l.pdf

RFM15N12 RFM15N12

 9.1. Size:309K  international rectifier
 irfm150.pdf

RFM15N12 RFM15N12

 9.2. Size:23K  semelab
 2n7224 irfm150.pdf

RFM15N12 RFM15N12

2N7224SEMEIRFM150LABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL13.59 (0.535) 6.32 (0.249)POWER MOSFET13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 100VID(cont) 34ARDS(on) 0.0701 2 3FEATURES REPETITIVE AVALANCHE RATING ISOLATED AND HERMETICALLY SEALED ALTERNATIVE TO TO-3 PACKAGE0.89 (0.035)1.14 (0

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MTM30N50

 

 
Back to Top