Справочник MOSFET. RFM15N12

 

RFM15N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFM15N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
 

 Аналог (замена) для RFM15N12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM15N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  njs
 rfm15n12 rfm15n15 rfp15n12 rfp15n15.pdf pdf_icon

RFM15N12

 8.1. Size:89K  njs
 rfm15n05l rfm15n06l.pdf pdf_icon

RFM15N12

 9.1. Size:309K  international rectifier
 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N12

 9.2. Size:23K  semelab
 2n7224 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N12

2N7224SEMEIRFM150LABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL13.59 (0.535) 6.32 (0.249)POWER MOSFET13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 100VID(cont) 34ARDS(on) 0.0701 2 3FEATURES REPETITIVE AVALANCHE RATING ISOLATED AND HERMETICALLY SEALED ALTERNATIVE TO TO-3 PACKAGE0.89 (0.035)1.14 (0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFM12N10 , RFM12N10L , RFM12N18 , RFM12N20 , RFM12P08 , RFM12P10 , RFM15N05L , RFM15N06L , IRF1010E , RFM15N15 , RFM25N05 , RFM25N06 , RFM5P12 , RFM5P15 , RFM8P08 , RFM8P10 , RFP10N12 .

History: IRFSZ42 | 2SK2793 | CJAC10TH10 | IRFI840GLCPBF | BF1208D | TPM8205ATS6 | OSG60R022HT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.