RFM25N05 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFM25N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO-204AA

 Búsqueda de reemplazo de RFM25N05 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RFM25N05 datasheet

 ..1. Size:239K  general electric
 rfm25n05 rfm25n06.pdf pdf_icon

RFM25N05

 9.1. Size:163K  international rectifier
 irfm250.pdf pdf_icon

RFM25N05

PD - 90554E IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM250 0.100 27.4A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:60K  njs
 irfm254.pdf pdf_icon

RFM25N05

 9.3. Size:41K  semelab
 irfm250d.pdf pdf_icon

RFM25N05

IRFM250D MECHANICAL DATA N CHANNEL Dimensions in mm (inches) POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 27.4A RDS(on) 0.100 FEATURES N CHANNEL MOSFET

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RFM12N18, RFM12N20, RFM12P08, RFM12P10, RFM15N05L, RFM15N06L, RFM15N12, RFM15N15, IRLB4132, RFM25N06, RFM5P12, RFM5P15, RFM8P08, RFM8P10, RFP10N12, RFP10N15, RFP12N08