RFM25N05 Todos los transistores

 

RFM25N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFM25N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFM25N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  general electric
 rfm25n05 rfm25n06.pdf pdf_icon

RFM25N05

 9.1. Size:163K  international rectifier
 irfm250.pdf pdf_icon

RFM25N05

PD - 90554EIRFM250JANTX2N7225JANTXV2N7225POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM250 0.100 27.4AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:60K  njs
 irfm254.pdf pdf_icon

RFM25N05

 9.3. Size:41K  semelab
 irfm250d.pdf pdf_icon

RFM25N05

IRFM250DMECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFETVDSS 200VID(cont) 27.4A RDS(on) 0.100 FEATURES NCHANNEL MOSFET

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History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
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