RFM25N05 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFM25N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для RFM25N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM25N05 даташит

 ..1. Size:239K  general electric
 rfm25n05 rfm25n06.pdf pdf_icon

RFM25N05

 9.1. Size:163K  international rectifier
 irfm250.pdf pdf_icon

RFM25N05

PD - 90554E IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM250 0.100 27.4A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:60K  njs
 irfm254.pdf pdf_icon

RFM25N05

 9.3. Size:41K  semelab
 irfm250d.pdf pdf_icon

RFM25N05

IRFM250D MECHANICAL DATA N CHANNEL Dimensions in mm (inches) POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 27.4A RDS(on) 0.100 FEATURES N CHANNEL MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFM12N18, RFM12N20, RFM12P08, RFM12P10, RFM15N05L, RFM15N06L, RFM15N12, RFM15N15, IRLB4132, RFM25N06, RFM5P12, RFM5P15, RFM8P08, RFM8P10, RFP10N12, RFP10N15, RFP12N08