RFP12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RFP12N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RFP12N10

RFP12N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:94K njs
rfm12n08 rfm12n10 rfp12n08 rfp12n10.pdf

0.1. Size:131K fairchild semi
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0.2. Size:533K onsemi
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7.1. Size:68K njs
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