RFP12N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFP12N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для RFP12N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP12N10 даташит

 ..1. Size:94K  njs
 rfm12n08 rfm12n10 rfp12n08 rfp12n10.pdf pdf_icon

RFP12N10

 0.1. Size:131K  fairchild semi
 rfp12n10l.pdf pdf_icon

RFP12N10

RFP12N10L Data Sheet April 2005 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 12A, 100V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.200 power field effect transistors specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Drives with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotiv

 0.2. Size:533K  onsemi
 rfp12n10l.pdf pdf_icon

RFP12N10

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.1. Size:68K  njs
 rfm12n18 rfm12n20 rfp12n18 rfp12n20.pdf pdf_icon

RFP12N10

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFM5P12, RFM5P15, RFM8P08, RFM8P10, RFP10N12, RFP10N15, RFP12N08, RFP12N08L, 12N60, RFP12N18, RFP12N20, RFP15N12, RFP15N15, RFP2N08, RFP2N10, RFP5P12, RFP5P15