PHW9N60E Todos los transistores

 

PHW9N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW9N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT429
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHW9N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  philips
 phb9n60e phw9n60e 3.pdf pdf_icon

PHW9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.8 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVF7N65CMJ | 2N6784JANTX | IRF630A | 2SK3089 | UF630L-TF1-T | SVS70R420FE3 | IRFB16N60LPBF

 

 
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