PHW9N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHW9N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: SOT429

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PHW9N60E datasheet

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PHW9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.8 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

Otros transistores... PHT6N06LT, PHT8N06LT, PHW11N50E, PHW14N50E, PHW20N50E, PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, IRF540, PHX2N50E, PHX2N60E, PHX3N40E, PHX3N50E, PHX3N60E, PHX4N60E, PHX4ND40E, PHX6N60E