Справочник MOSFET. PHW9N60E

 

PHW9N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW9N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW9N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  philips
 phb9n60e phw9n60e 3.pdf pdf_icon

PHW9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.8 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FMP20N50E | AP2765I-A-HF | NP90N055PUH | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.