PHW9N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHW9N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: SOT429

Аналог (замена) для PHW9N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW9N60E даташит

 ..1. Size:102K  philips
 phb9n60e phw9n60e 3.pdf pdf_icon

PHW9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.8 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

Другие IGBT... PHT6N06LT, PHT8N06LT, PHW11N50E, PHW14N50E, PHW20N50E, PHW7N60E, PHW8N50E, PHW8ND50E, IRF540, PHX2N50E, PHX2N60E, PHX3N40E, PHX3N50E, PHX3N60E, PHX4N60E, PHX4ND40E, PHX6N60E