PHW9N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHW9N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: SOT429
PHW9N60E Datasheet (PDF)
..1. Size:102K philips
phb9n60e phw9n60e 3.pdf
phb9n60e phw9n60e 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.8 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh
Другие MOSFET... PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , IRF1404 , PHX2N50E , PHX2N60E , PHX3N40E , PHX3N50E , PHX3N60E , PHX4N60E , PHX4ND40E , PHX6N60E .
