Справочник MOSFET. PHW9N60E

 

PHW9N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHW9N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT429

 Аналог (замена) для PHW9N60E

 

 

PHW9N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  philips
 phb9n60e phw9n60e 3.pdf

PHW9N60E PHW9N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB9N60E, PHW9N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.8 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

Другие MOSFET... PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , PHW8ND50E , IRF540 , PHX2N50E , PHX2N60E , PHX3N40E , PHX3N50E , PHX3N60E , PHX4N60E , PHX4ND40E , PHX6N60E .

 

 
Back to Top