PHX4ND40E Todos los transistores

 

PHX4ND40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHX4ND40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A
 

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PHX4ND40E Datasheet (PDF)

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PHX4ND40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX4ND40E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 2.7 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 1.8 Fast reverse recovery diodetrr = 180 ns

 9.1. Size:83K  philips
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PHX4ND40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.4 Ag Isolated packageRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

 9.2. Size:24K  philips
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PHX4ND40E

Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistor PHX4N50E Isolated version of PHP4N50EGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a fullpack, plastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 500 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 2.9 Ablocking volt

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