PHX4ND40E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHX4ND40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: SOT186A
PHX4ND40E Datasheet (PDF)
phx4nd40e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX4ND40E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 2.7 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 1.8 Fast reverse recovery diodetrr = 180 ns
phx4n60e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.4 Ag Isolated packageRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh
phx4n50e 1.pdf
Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistor PHX4N50E Isolated version of PHP4N50EGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a fullpack, plastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 500 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 2.9 Ablocking volt
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
