RJM0603JSC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJM0603JSC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: HSOP-20

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RJM0603JSC datasheet

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RJM0603JSC

Preliminary Datasheet RJM0603JSC R07DS0339EJ0501 Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.01 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code PRSP0020DF-A (P

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