RJM0603JSC Todos los transistores

 

RJM0603JSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJM0603JSC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP-20
 

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RJM0603JSC Datasheet (PDF)

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RJM0603JSC

Preliminary Datasheet RJM0603JSC R07DS0339EJ0501Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.01High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code: PRSP0020DF-A(P

Otros transistores... RJK6036DP3-A0 , RJL5012DPP , RJL5013DPP , RJL5014DPP , RJL6012DPP , RJL6013DPP , RJL6014DPP , RJM0404JSC , AO4407 , RJP020N06T100 , RJU002N06FRA , RJU002N06T106 , RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM .

History: BUK9606-40B | PMN35EN | HY4504B6 | PMCPB5530X

 

 
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