RJM0603JSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RJM0603JSC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP-20

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RJM0603JSC

RJM0603JSC Datasheet (PDF)

..1. Size:148K renesas
rjm0603jsc.pdf

Preliminary Datasheet RJM0603JSC R07DS0339EJ0501Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.01High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code: PRSP0020DF-A(P

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History: APT19F100J | SQR40N10-25 | NP80N055KLE | BUK7E8R3-40E | SQV90N06-05

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: