RJM0603JSC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJM0603JSC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: HSOP-20

Аналог (замена) для RJM0603JSC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJM0603JSC даташит

 ..1. Size:148K  renesas
 rjm0603jsc.pdf pdf_icon

RJM0603JSC

Preliminary Datasheet RJM0603JSC R07DS0339EJ0501 Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.01 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code PRSP0020DF-A (P

Другие IGBT... RJK6036DP3-A0, RJL5012DPP, RJL5013DPP, RJL5014DPP, RJL6012DPP, RJL6013DPP, RJL6014DPP, RJM0404JSC, 13N50, RJP020N06T100, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM