RJM0603JSC - аналоги и даташиты транзистора

 

RJM0603JSC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RJM0603JSC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: HSOP-20
 

 Аналог (замена) для RJM0603JSC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJM0603JSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  renesas
 rjm0603jsc.pdf pdf_icon

RJM0603JSC

Preliminary Datasheet RJM0603JSC R07DS0339EJ0501Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.01High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code: PRSP0020DF-A(P

Другие MOSFET... RJK6036DP3-A0 , RJL5012DPP , RJL5013DPP , RJL5014DPP , RJL6012DPP , RJL6013DPP , RJL6014DPP , RJM0404JSC , 13N50 , RJP020N06T100 , RJU002N06FRA , RJU002N06T106 , RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM .

History: VBZFB20P06 | AP9965GEM | UTT30P06G-TQ2-R | AP9974BGP | AP9971AGM-HF | UTT6NP10L-S08-R | AP9976GP

 

 
Back to Top

 


 
.