Справочник MOSFET. RJM0603JSC

 

RJM0603JSC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJM0603JSC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: HSOP-20
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJM0603JSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  renesas
 rjm0603jsc.pdf pdf_icon

RJM0603JSC

Preliminary Datasheet RJM0603JSC R07DS0339EJ0501Silicon N/P Channel Power MOS FET (6 in 1 Type) Rev.5.01High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features For Automotive applications AEC-Q101 compliant N/P Channel MOS FET (6 in 1 Type). High density mounting Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package Code: PRSP0020DF-A(P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.