RK3055ETL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RK3055ETL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: CPT3

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RK3055ETL datasheet

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RK3055ETL

RK3055E Transistors 10V Drive Nch MOSFET RK3055E Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.75 4) 10V drive. 0.65 0.9 2.3 (1)Gate 5) Drive circuits can be simple. 2.3 (1) (2) (3) 0.5 (2)Drain 1.0 6) Parallel use is easy. (3

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RK3055ETL

Transistors Small switching (60V, 8A) RK3055E FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Low-voltage drive. 5) Easily designed drive circuits. 6) Easy to use in parallel. FStructure Silicon N-channel MOSFET FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FPackaging specifications 182 Transistors RK3055E

Otros transistores... RJL6014DPP, RJM0404JSC, RJM0603JSC, RJP020N06T100, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, AON6380, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, RND030N20, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR, RP1E090RPTR