RK3055ETL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RK3055ETL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RK3055ETL

RK3055ETL Datasheet (PDF)

..1. Size:88K rohm
rk3055etl.pdf

RK3055E Transistors 10V Drive Nch MOSFET RK3055E Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT36.5 5.12.30.5 Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.754) 10V drive. 0.650.92.3(1)Gate5) Drive circuits can be simple. 2.3(1) (2) (3)0.5(2)Drain1.06) Parallel use is easy. (3

7.1. Size:135K rohm
rk3055e.pdf

TransistorsSmall switching (60V, 8A)RK3055EFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Wide SOA (safe operating area).4) Low-voltage drive.5) Easily designed drive circuits.6) Easy to use in parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FPackaging specifications182Transistors RK3055E

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: