Справочник MOSFET. RK3055ETL

 

RK3055ETL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RK3055ETL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: CPT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RK3055ETL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  rohm
 rk3055etl.pdf pdf_icon

RK3055ETL

RK3055E Transistors 10V Drive Nch MOSFET RK3055E Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT36.5 5.12.30.5 Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.754) 10V drive. 0.650.92.3(1)Gate5) Drive circuits can be simple. 2.3(1) (2) (3)0.5(2)Drain1.06) Parallel use is easy. (3

 7.1. Size:135K  rohm
 rk3055e.pdf pdf_icon

RK3055ETL

TransistorsSmall switching (60V, 8A)RK3055EFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Wide SOA (safe operating area).4) Low-voltage drive.5) Easily designed drive circuits.6) Easy to use in parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FPackaging specifications182Transistors RK3055E

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: F3S90HVX2 | FL6L5201 | APT6035SVR | LPM3400B3F | CHM4955JGP | ASDM3400 | SVF10N80F

 

 
Back to Top

 


 
.