RK3055ETL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RK3055ETL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: CPT3

Аналог (замена) для RK3055ETL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RK3055ETL даташит

 ..1. Size:88K  rohm
 rk3055etl.pdf pdf_icon

RK3055ETL

RK3055E Transistors 10V Drive Nch MOSFET RK3055E Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.75 4) 10V drive. 0.65 0.9 2.3 (1)Gate 5) Drive circuits can be simple. 2.3 (1) (2) (3) 0.5 (2)Drain 1.0 6) Parallel use is easy. (3

 7.1. Size:135K  rohm
 rk3055e.pdf pdf_icon

RK3055ETL

Transistors Small switching (60V, 8A) RK3055E FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 4) Low-voltage drive. 5) Easily designed drive circuits. 6) Easy to use in parallel. FStructure Silicon N-channel MOSFET FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FPackaging specifications 182 Transistors RK3055E

Другие IGBT... RJL6014DPP, RJM0404JSC, RJM0603JSC, RJP020N06T100, RJU002N06FRA, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, AON6380, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, RND030N20, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR, RP1E090RPTR