RND030N20 Todos los transistores

 

RND030N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RND030N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.87 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
 

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RND030N20 Datasheet (PDF)

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RND030N20

RND030N20Nch 200V 3.0A Power MOSFET DatasheetOutlineVDSS200VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)870m(3)ID3.0A(2)(1)PD20WFeatures Inner circuit(3) 1) Low on-resistance.1*(1) Gate2) Fast switching speed.(2) Drain(1) 3) Drive circuits can be simple.(3) Source2*4) Parallel use is easy.1 ESD PROTECTION DIODE2 BODY DIODE

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History: IXTR20P50P | IRFS830 | UF640G-AA3-R

 

 
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