RND030N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RND030N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.87 Ohm

Encapsulados: SC-63

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RND030N20 datasheet

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RND030N20

RND030N20 Nch 200V 3.0A Power MOSFET Datasheet Outline VDSS 200V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 870m (3) ID 3.0A (2) (1) PD 20W Features Inner circuit (3) 1) Low on-resistance. 1 * (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 2 * 4) Parallel use is easy. 1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE

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