Справочник MOSFET. RND030N20

 

RND030N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RND030N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.87 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RND030N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RND030N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  rohm
 rnd030n20.pdf pdf_icon

RND030N20

RND030N20Nch 200V 3.0A Power MOSFET DatasheetOutlineVDSS200VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)870m(3)ID3.0A(2)(1)PD20WFeatures Inner circuit(3) 1) Low on-resistance.1*(1) Gate2) Fast switching speed.(2) Drain(1) 3) Drive circuits can be simple.(3) Source2*4) Parallel use is easy.1 ESD PROTECTION DIODE2 BODY DIODE

Другие MOSFET... RJU002N06T106 , RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM , RK7002BT116 , RK7002T116 , 20N50 , RP1A090ZPTR , RP1E050RPTR , RP1E090RPTR , RP1E100RPTR , RQ1A060ZPTR , RQ1A070ZPTR , RQ1E050RPTR , RQ3E070BN .

 

 
Back to Top

 


 
.