Справочник MOSFET. RND030N20

 

RND030N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RND030N20
   Маркировка: N03N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.87 Ohm
   Тип корпуса: SC-63

 Аналог (замена) для RND030N20

 

 

RND030N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  rohm
 rnd030n20.pdf

RND030N20 RND030N20

RND030N20Nch 200V 3.0A Power MOSFET DatasheetOutlineVDSS200VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)870m(3)ID3.0A(2)(1)PD20WFeatures Inner circuit(3) 1) Low on-resistance.1*(1) Gate2) Fast switching speed.(2) Drain(1) 3) Drive circuits can be simple.(3) Source2*4) Parallel use is easy.1 ESD PROTECTION DIODE2 BODY DIODE

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top