RND030N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RND030N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.87 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RND030N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RND030N20 даташит

 ..1. Size:285K  rohm
 rnd030n20.pdf pdf_icon

RND030N20

RND030N20 Nch 200V 3.0A Power MOSFET Datasheet Outline VDSS 200V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 870m (3) ID 3.0A (2) (1) PD 20W Features Inner circuit (3) 1) Low on-resistance. 1 * (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (1) 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 2 * 4) Parallel use is easy. 1 ESD PROTECTION DIODE 2 BODY DIODE

Другие IGBT... RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, STP80NF70, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR, RP1E090RPTR, RP1E100RPTR, RQ1A060ZPTR, RQ1A070ZPTR, RQ1E050RPTR, RQ3E070BN