RP1A090ZPTR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1A090ZPTR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: MPT6

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RP1A090ZPTR datasheet

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RP1A090ZPTR

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

 5.1. Size:315K  rohm
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RP1A090ZPTR

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low Voltage Drive(1.5V drive). 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ord

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