Справочник MOSFET. RP1A090ZPTR

 

RP1A090ZPTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RP1A090ZPTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: MPT6
 

 Аналог (замена) для RP1A090ZPTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1A090ZPTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  rohm
 rp1a090zptr.pdf pdf_icon

RP1A090ZPTR

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low Voltage Drive(1.5V drive).2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ord

 5.1. Size:315K  rohm
 rp1a090zp.pdf pdf_icon

RP1A090ZPTR

1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low Voltage Drive(1.5V drive).2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ord

Другие MOSFET... RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM , RK7002BT116 , RK7002T116 , RND030N20 , IRF1407 , RP1E050RPTR , RP1E090RPTR , RP1E100RPTR , RQ1A060ZPTR , RQ1A070ZPTR , RQ1E050RPTR , RQ3E070BN , RQ3E080BN .

History: HSU12N10 | AOT66811L | MCAC20N15 | IRFSL38N20DPBF | AM4936N | AP85T03GJ | IXTT12N150

 

 
Back to Top

 


 
.