RP1A090ZPTR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RP1A090ZPTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: MPT6
Аналог (замена) для RP1A090ZPTR
RP1A090ZPTR Datasheet (PDF)
rp1a090zptr.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low Voltage Drive(1.5V drive).2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ord
rp1a090zp.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RP1A090ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low Voltage Drive(1.5V drive).2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ord
Другие MOSFET... RJU003N03FRA , RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM , RK7002BT116 , RK7002T116 , RND030N20 , IRF1407 , RP1E050RPTR , RP1E090RPTR , RP1E100RPTR , RQ1A060ZPTR , RQ1A070ZPTR , RQ1E050RPTR , RQ3E070BN , RQ3E080BN .
History: FDP030N06B_F102
History: FDP030N06B_F102
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D | MD50N50 | MD40N50 | FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P
Popular searches
2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet