RQ3E070BN Todos los transistores

 

RQ3E070BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ3E070BN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSMT8
 

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RQ3E070BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2641K  rohm
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RQ3E070BN

RQ3E070BNDatasheetNch 30V 7A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 27m ID 7A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging

 9.1. Size:2648K  rohm
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RQ3E070BN

RQ3E080BNDatasheetNch 30V 8A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 15.2m ID 8A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin

 9.2. Size:473K  rohm
 rq3e080gn.pdf pdf_icon

RQ3E070BN

RQ3E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)16.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)22.8mWID8APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

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History: CMPF5485 | DH400P06F | 2SJ238 | IXFT86N30T | IRFS723 | ME70N03S-G | IPB180N08S4-02

 

 
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