RQ3E070BN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ3E070BN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3E070BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E070BN даташит

 ..1. Size:2641K  rohm
 rq3e070bn.pdf pdf_icon

RQ3E070BN

RQ3E070BN Datasheet Nch 30V 7A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 27m ID 7A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging

 9.1. Size:2648K  rohm
 rq3e080bn.pdf pdf_icon

RQ3E070BN

RQ3E080BN Datasheet Nch 30V 8A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 15.2m ID 8A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin

 9.2. Size:473K  rohm
 rq3e080gn.pdf pdf_icon

RQ3E070BN

RQ3E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 16.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 22.8mW ID 8A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

Другие IGBT... RND030N20, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR, RP1E090RPTR, RP1E100RPTR, RQ1A060ZPTR, RQ1A070ZPTR, RQ1E050RPTR, 2SK3568, RQ3E080BN, RQ3E080GN, RQ3E100BN, RQ3E100GN, RQ3E100MN, RQ3E120AT, RQ3E120BN, RQ3E120GN