RQ3E080GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ3E080GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0167 Ohm

Encapsulados: HSMT8

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RQ3E080GN datasheet

 ..1. Size:473K  rohm
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RQ3E080GN

RQ3E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 16.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 22.8mW ID 8A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY D

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RQ3E080GN

RQ3E080BN Datasheet Nch 30V 8A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 15.2m ID 8A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin

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RQ3E080GN

RQ3E070BN Datasheet Nch 30V 7A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 27m ID 7A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging

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