Справочник MOSFET. RQ3E080GN

 

RQ3E080GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ3E080GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0167 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E080GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  rohm
 rq3e080gn.pdf pdf_icon

RQ3E080GN

RQ3E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)16.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)22.8mWID8APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 7.1. Size:2648K  rohm
 rq3e080bn.pdf pdf_icon

RQ3E080GN

RQ3E080BNDatasheetNch 30V 8A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 15.2m ID 8A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin

 9.1. Size:2641K  rohm
 rq3e070bn.pdf pdf_icon

RQ3E080GN

RQ3E070BNDatasheetNch 30V 7A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 27m ID 7A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.