PHX7N60E Todos los transistores

 

PHX7N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHX7N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A
 

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PHX7N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
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PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.6 Ag Isolated packageRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

 9.1. Size:60K  philips
 phx7n40e 3.pdf pdf_icon

PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.8 Ag Isolated packageRDS(ON) 1 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan

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History: PHD3055E | SML60B16 | SSF6N90A

 

 
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