PHX7N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHX7N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: SOT186A

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PHX7N60E datasheet

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PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.6 A g Isolated package RDS(ON) 1.2 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enh

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PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.8 A g Isolated package RDS(ON) 1 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enhan

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