PHX7N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHX7N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT186A

Аналог (замена) для PHX7N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX7N60E даташит

 ..1. Size:75K  philips
 phx7n60e.pdf pdf_icon

PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.6 A g Isolated package RDS(ON) 1.2 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enh

 9.1. Size:60K  philips
 phx7n40e 3.pdf pdf_icon

PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.8 A g Isolated package RDS(ON) 1 s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186A N-channel, enhan

Другие IGBT... PHX3N40E, PHX3N50E, PHX3N60E, PHX4N60E, PHX4ND40E, PHX6N60E, PHX6NA60E, PHX6ND50E, IRFB4227, PHX8N50E, PHX8ND50E, PMBF4391, PMBF4392, PMBF4393, PMBF4416, PMBF4416A, PMBF5484