PHX7N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHX7N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: SOT186A
PHX7N60E Datasheet (PDF)
phx7n60e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.6 Ag Isolated packageRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh
phx7n40e 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.8 Ag Isolated packageRDS(ON) 1 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918