Справочник MOSFET. PHX7N60E

 

PHX7N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHX7N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT186A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHX7N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
 phx7n60e.pdf pdf_icon

PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.6 Ag Isolated packageRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enh

 9.1. Size:60K  philips
 phx7n40e 3.pdf pdf_icon

PHX7N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX7N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.8 Ag Isolated packageRDS(ON) 1 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, enhan

Другие MOSFET... PHX3N40E , PHX3N50E , PHX3N60E , PHX4N60E , PHX4ND40E , PHX6N60E , PHX6NA60E , PHX6ND50E , IRFB4110 , PHX8N50E , PHX8ND50E , PMBF4391 , PMBF4392 , PMBF4393 , PMBF4416 , PMBF4416A , PMBF5484 .

History: 2SK1751 | DMG4468LK3 | SM4373NSKP | SWF13N50D | DMT3009LFVW-7 | PJA3400 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.