RQ3G100GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ3G100GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0143 Ohm

Encapsulados: HSMT8

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RQ3G100GN datasheet

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RQ3G100GN

RQ3G100GN Datasheet Nch 40V 10A Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 14.3m ID 10A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging spe

Otros transistores... RQ3E130BN, RQ3E130MN, RQ3E150BN, RQ3E150GN, RQ3E150MN, RQ3E160AD, RQ3E180AJ, RQ3E180GN, IRFB31N20D, RQ3L050GN, RQ5A030AP, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ, RQ5H020SP