RQ3G100GN Todos los transistores

 

RQ3G100GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ3G100GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0143 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSMT8
 

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RQ3G100GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2681K  rohm
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RQ3G100GN

RQ3G100GNDatasheetNch 40V 10A Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS40VRDS(on)(Max.) 14.3m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

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History: 2P829G

 

 
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