RQ3G100GN Todos los transistores

 

RQ3G100GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ3G100GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0143 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSMT8
 

 Búsqueda de reemplazo de RQ3G100GN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RQ3G100GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2681K  rohm
 rq3g100gn.pdf pdf_icon

RQ3G100GN

RQ3G100GNDatasheetNch 40V 10A Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS40VRDS(on)(Max.) 14.3m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

Otros transistores... RQ3E130BN , RQ3E130MN , RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RQ3E180GN , IRF730 , RQ3L050GN , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP .

History: BRCS080N02ZJ | SQJ980EP | SE3090K | VBL165R12 | AO6401 | NVMFD5483NL | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.