RQ3G100GN - аналоги и даташиты транзистора

 

RQ3G100GN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RQ3G100GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0143 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3G100GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2681K  rohm
 rq3g100gn.pdf pdf_icon

RQ3G100GN

RQ3G100GNDatasheetNch 40V 10A Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS40VRDS(on)(Max.) 14.3m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

Другие MOSFET... RQ3E130BN , RQ3E130MN , RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RQ3E180GN , IRF730 , RQ3L050GN , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP .

History: STD17N06L | FDS4935BZ | 4N65G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.