RQ3G100GN - описание и поиск аналогов

 

RQ3G100GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ3G100GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0143 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3G100GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3G100GN даташит

 ..1. Size:2681K  rohm
 rq3g100gn.pdf pdf_icon

RQ3G100GN

RQ3G100GN Datasheet Nch 40V 10A Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 14.3m ID 10A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging spe

Другие MOSFET... RQ3E130BN , RQ3E130MN , RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RQ3E180GN , IRFB31N20D , RQ3L050GN , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.