Справочник MOSFET. RQ3G100GN

 

RQ3G100GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQ3G100GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0143 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8

 Аналог (замена) для RQ3G100GN

 

 

RQ3G100GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2681K  rohm
 rq3g100gn.pdf

RQ3G100GN RQ3G100GN

RQ3G100GNDatasheetNch 40V 10A Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS40VRDS(on)(Max.) 14.3m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top