RQ3L050GN Todos los transistores

 

RQ3L050GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ3L050GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSMT8
 

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RQ3L050GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3020K  rohm
 rq3l050gn.pdf pdf_icon

RQ3L050GN

RQ3L050GNDatasheetNch 60V 12A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS60VRDS(on)(Max.) 61mID 12APD14.8W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEm

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History: BUK7Y35-55B | RQ5E030AJ | CEB75A3 | HY4004P | HY3712PS | BUK7Y53-100B

 

 
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