RQ3L050GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ3L050GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm

Encapsulados: HSMT8

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RQ3L050GN datasheet

 ..1. Size:3020K  rohm
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RQ3L050GN

RQ3L050GN Datasheet Nch 60V 12A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 60V RDS(on)(Max.) 61m ID 12A PD 14.8W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Em

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