Справочник MOSFET. RQ3L050GN

 

RQ3L050GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ3L050GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3L050GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3020K  rohm
 rq3l050gn.pdf pdf_icon

RQ3L050GN

RQ3L050GNDatasheetNch 60V 12A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS60VRDS(on)(Max.) 61mID 12APD14.8W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEm

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMB190N15HG4 | FDR4420A | RJU002N06T106 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.