RQ3L050GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ3L050GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3L050GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3L050GN даташит

 ..1. Size:3020K  rohm
 rq3l050gn.pdf pdf_icon

RQ3L050GN

RQ3L050GN Datasheet Nch 60V 12A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 60V RDS(on)(Max.) 61m ID 12A PD 14.8W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Em

Другие IGBT... RQ3E130MN, RQ3E150BN, RQ3E150GN, RQ3E150MN, RQ3E160AD, RQ3E180AJ, RQ3E180GN, RQ3G100GN, STP65NF06, RQ5A030AP, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ, RQ5H020SP, RQ5L015SP