Справочник MOSFET. RQ3L050GN

 

RQ3L050GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ3L050GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ3L050GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3L050GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3020K  rohm
 rq3l050gn.pdf pdf_icon

RQ3L050GN

RQ3L050GNDatasheetNch 60V 12A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS60VRDS(on)(Max.) 61mID 12APD14.8W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEm

Другие MOSFET... RQ3E130MN , RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RQ3E180GN , RQ3G100GN , IRFZ48N , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP , RQ5L015SP .

History: PK5G6EA | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.