RQ5A030AP Todos los transistores

 

RQ5A030AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ5A030AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RQ5A030AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2773K  rohm
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RQ5A030AP

RQ5A030APDatasheetPch -12V -3A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-12VRDS(on)(Max.) 62m ID 3.0A PD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

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History: IPT65R033G7 | RQ3E150MN | HY4004P | RQ3E130MN | BUK9107-55ATE | SVGP082R6NL5A | IRF1018ES

 

 
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