RQ5A030AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RQ5A030AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3

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RQ5A030AP Datasheet (PDF)

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rq5a030ap.pdf

RQ5A030APDatasheetPch -12V -3A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-12VRDS(on)(Max.) 62m ID 3.0A PD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: