RQ5A030AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ5A030AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RQ5A030AP datasheet

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RQ5A030AP

RQ5A030AP Datasheet Pch -12V -3A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS -12V RDS(on)(Max.) 62m ID 3.0A PD 1.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen

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