Справочник MOSFET. RQ5A030AP

 

RQ5A030AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ5A030AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RQ5A030AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5A030AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2773K  rohm
 rq5a030ap.pdf pdf_icon

RQ5A030AP

RQ5A030APDatasheetPch -12V -3A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-12VRDS(on)(Max.) 62m ID 3.0A PD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RQ3E180GN , RQ3G100GN , RQ3L050GN , NCEP15T14 , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP , RQ5L015SP , RQ6C050UN .

History: RFG50N05L | TSJ10N10AT | HGN024N06SL | NCE0160AG | CEP05P03 | IXFH14N60P

 

 
Back to Top

 


 
.