RQ5A030AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ5A030AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RQ5A030AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5A030AP даташит

 ..1. Size:2773K  rohm
 rq5a030ap.pdf pdf_icon

RQ5A030AP

RQ5A030AP Datasheet Pch -12V -3A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS -12V RDS(on)(Max.) 62m ID 3.0A PD 1.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen

Другие IGBT... RQ3E150BN, RQ3E150GN, RQ3E150MN, RQ3E160AD, RQ3E180AJ, RQ3E180GN, RQ3G100GN, RQ3L050GN, IRF1405, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ, RQ5H020SP, RQ5L015SP, RQ6C050UN