RQ5L015SP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ5L015SP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RQ5L015SP datasheet

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RQ5L015SP

RQ5L015SP Datasheet Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS -60V RDS(on)(Max.) 280m ID 1.5A PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen

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