RQ5L015SP Todos los transistores

 

RQ5L015SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ5L015SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RQ5L015SP Datasheet (PDF)

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RQ5L015SP

RQ5L015SPDatasheetPch -60V -1.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-60VRDS(on)(Max.) 280m ID 1.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

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History: RQ6E045BN | RS1E130GN | RS1E200AH | FIR5N80FG

 

 
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