RQ5L015SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ5L015SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RQ5L015SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5L015SP даташит

 ..1. Size:2724K  rohm
 rq5l015sp.pdf pdf_icon

RQ5L015SP

RQ5L015SP Datasheet Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS -60V RDS(on)(Max.) 280m ID 1.5A PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen

Другие IGBT... RQ3L050GN, RQ5A030AP, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ, RQ5H020SP, IRFB7545, RQ6C050UN, RQ6E030AT, RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, RQ6P015SP, RQ7E055AT