RQ5L015SP - аналоги и даташиты транзистора

 

RQ5L015SP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RQ5L015SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RQ5L015SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5L015SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2724K  rohm
 rq5l015sp.pdf pdf_icon

RQ5L015SP

RQ5L015SPDatasheetPch -60V -1.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-60VRDS(on)(Max.) 280m ID 1.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... RQ3L050GN , RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP , 8N60 , RQ6C050UN , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT .

History: RQ6E045BN | P8315AD | P8010BV

 

 
Back to Top

 


 
.