Справочник MOSFET. RQ5L015SP

 

RQ5L015SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ5L015SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ5L015SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2724K  rohm
 rq5l015sp.pdf pdf_icon

RQ5L015SP

RQ5L015SPDatasheetPch -60V -1.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-60VRDS(on)(Max.) 280m ID 1.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HGB053N06S | FDC654P | OSG55R074HSZF | IXFX30N110P | 2SK1501 | IRL530NS | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.