RQ6C050UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RQ6C050UN
   Código: XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6

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RQ6C050UN Datasheet (PDF)

..1. Size:331K rohm
rq6c050un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RQ6C050UN Data Sheet Structure Dimensions Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Each lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : XG Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Code TR

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: