RQ6C050UN - аналоги и даташиты транзистора

 

RQ6C050UN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RQ6C050UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RQ6C050UN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ6C050UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  rohm
 rq6c050un.pdf pdf_icon

RQ6C050UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ6C050UN Data Sheet Structure Dimensions Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Each lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : XG Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Code TR

Другие MOSFET... RQ5A030AP , RQ5E025AT , RQ5E030AJ , RQ5E035AT , RQ5E035BN , RQ5E040AJ , RQ5H020SP , RQ5L015SP , AON7403 , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , RRQ020P03 .

History: FDA75N28 | RQ5E035BN | SPA04N80C3

 

 
Back to Top

 


 
.