Справочник MOSFET. RQ6C050UN

 

RQ6C050UN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQ6C050UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6

 Аналог (замена) для RQ6C050UN

 

 

RQ6C050UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  rohm
 rq6c050un.pdf

RQ6C050UN RQ6C050UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ6C050UN Data Sheet Structure Dimensions Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Each lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : XG Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Code TR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top