RQ6C050UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ6C050UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RQ6C050UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ6C050UN даташит

 ..1. Size:331K  rohm
 rq6c050un.pdf pdf_icon

RQ6C050UN

1.5V Drive Nch MOSFET RQ6C050UN Data Sheet Structure Dimensions Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Each lead has same dimensions Switching Abbreviated symbol XG Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Code TR

Другие IGBT... RQ5A030AP, RQ5E025AT, RQ5E030AJ, RQ5E035AT, RQ5E035BN, RQ5E040AJ, RQ5H020SP, RQ5L015SP, AON7403, RQ6E030AT, RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, RQ6P015SP, RQ7E055AT, RRQ020P03