RQ7E055AT Todos los transistores

 

RQ7E055AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ7E055AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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RQ7E055AT Datasheet (PDF)

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RQ7E055AT

RQ7E055ATDatasheetPch -30V -5.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 27mID 5.5APD1.5W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifica

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History: H7N0603DS | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | 2N4220 | IXTK100N25P | CHM4435AZGP | SUM90N10-8M2P

 

 
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