RQ7E055AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ7E055AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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RQ7E055AT datasheet

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RQ7E055AT

RQ7E055AT Datasheet Pch -30V -5.5A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 27m ID 5.5A PD 1.5W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifica

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