RQ7E055AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ7E055AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для RQ7E055AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ7E055AT даташит

 ..1. Size:2914K  rohm
 rq7e055at.pdf pdf_icon

RQ7E055AT

RQ7E055AT Datasheet Pch -30V -5.5A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 27m ID 5.5A PD 1.5W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifica

Другие IGBT... RQ5L015SP, RQ6C050UN, RQ6E030AT, RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, RQ6P015SP, 60N06, RRQ020P03, RRS110N03TB1, RS1E130GN, RS1E150GN, RS1E170GN, RS1E200AH, RS1E200BN, RS1E200GN