Справочник MOSFET. RQ7E055AT

 

RQ7E055AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ7E055AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ7E055AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ7E055AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2914K  rohm
 rq7e055at.pdf pdf_icon

RQ7E055AT

RQ7E055ATDatasheetPch -30V -5.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS-30VRDS(on)(Max.) 27mID 5.5APD1.5W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifica

Другие MOSFET... RQ5L015SP , RQ6C050UN , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , AO4468 , RRQ020P03 , RRS110N03TB1 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN , RS1E200GN .

History: FIR6N40FG

 

 
Back to Top

 


 
.